SNSS40600CF8T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

SNSS40600CF8T1G概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCES 40V PNP CHIPFET

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 6A 100MHz 830mW Surface Mount ChipFET™

得捷:
TRANS PNP 40V 6A CHIPFET

立创商城:
SNSS40600CF8T1G

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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCES 40V PNP CHIPFET

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 6A Automotive 8-Pin Chip FET T/R

SNSS40600CF8T1G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 220 @1A, 2V

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SNSS40600CF8T1G

型号： SNSS40600CF8T1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT LOW VCES 40V PNP CHIPFET

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