STMICROELECTRONICS STN851 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 130 MHz, 1.6 W, 5 A, 300 hFE
通用 NPN ,STMicroelectronics
### 双极晶体管,STMicroelectronics
STMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP ,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。
得捷:
TRANS NPN 60V 5A SOT223
欧时:
STMicroelectronics STN851 , NPN 晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:30, 130 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
立创商城:
NPN 60V 5A
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Lo-Volt Fast Sw
艾睿:
The three terminals of this NPN STN851 GP BJT from STMicroelectronics give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 1600 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1600mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 60V 5A SOT-223
频率 130 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 5.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.6 W
增益频宽积 130 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 1V
最大电流放大倍数hFE 350
额定功率Max 1.6 W
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.8 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Lighting, 工业, 照明, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STN851 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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FZT851TA 美台 | 功能相似 | STN851和FZT851TA的区别 |
NZT560A 飞兆/仙童 | 功能相似 | STN851和NZT560A的区别 |