STL12P6F6概述
P沟道60 V ， 0.13 （典型值） ，3A的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET在PowerFLAT 5×6包 P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
表面贴装型 P 通道 60 V 4A（Tc） 75W（Tc） PowerFlat™（5x6）
得捷:
MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 4-Pin PowerFlat T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 4A 8-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 8-Pin Power Flat T/R
STL12P6F6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 P-CH
耗散功率 75 W
阈值电压 2V ~ 4V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 5.3 ns
输入电容Ciss 340pF @48VVds
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-8
外形尺寸
封装 PowerFLAT-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STL12P6F6
型号： STL12P6F6
描述：P沟道60 V ， 0.13 （典型值） ，3A的STripFET VI DeepGATE功率MOSFET在PowerFLAT 5×6包 P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package