DPAK N-CH 600V 0.8A
表面贴装型 N 通道 800mA（Tc） 11W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 0.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
极性 N-CH
耗散功率 11W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 0.8A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
额定功率Max 11 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 11W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD01N60C3BTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD80R2K8CEATMA1 英飞凌 | 类似代替 | SPD01N60C3BTMA1和IPD80R2K8CEATMA1的区别 |