SQ3460EV-T1_GE3

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SQ3460EV-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.025 Ω

耗散功率 3.6 W

阈值电压 0.4 V

漏源击穿电压 20 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 848pF @10VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQ3460EV-T1_GE3
型号: SQ3460EV-T1_GE3
描述:N 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

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