SE10DG-M3/I
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SE10DG-M3/I
SE10DG-M3/I中文资料参数规格
技术参数
正向电压
1.15V @10A
反向恢复时间
3 µs
封装参数
安装方式
Surface Mount
封装
TO-263-3
外形尺寸
封装
TO-263-3
其他
包装方式
Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准
无铅
数据手册
在线购买SE10DG-M3/I
型号：
SE10DG-M3/I
制造商：
Vishay Semiconductor 威世
描述：
DIODE GEN PURP 400V 3A TO263AC
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