STP6NK50Z

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STP6NK50Z概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STP6NK50Z, 5.6 A, Vds=500 V, 3引脚


贸泽:
MOSFET N-Ch 500 Volt 5.6Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-Channel 500 V 1.2 Ohm Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 5.6A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
N-CHANNEL 500V - 0.93 ohm - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET


STP6NK50Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 5.60 A

漏源极电阻 0.93 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.60 A

上升时间 23.5 ns

输入电容Ciss 690pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP6NK50Z
型号: STP6NK50Z
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP6NK50Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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