INFINEON SPD02N60C3BTMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 650 V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO252-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON SPD02N60C3BTMA1 Power MOSFET, N Channel, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 1.8A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 25 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 消费电子产品, 工业, 通信与网络, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17