SQS462EN-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.05 Ω
耗散功率 33 W
阈值电压 1.5 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 374pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.12 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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型号： SQS462EN-T1_GE3
描述：N 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor