STMICROELECTRONICS STS12NF30L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V
The is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device is suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
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- Standard outline for easy automated surface-mount assembly
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- Low threshold drive
额定电压DC 30.0 V
额定电流 12.0 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STS12NF30L ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STS12NH3LL 意法半导体 | 类似代替 | STS12NF30L和STS12NH3LL的区别 |
FDS8880 飞兆/仙童 | 功能相似 | STS12NF30L和FDS8880的区别 |
IRF8714PBF 英飞凌 | 功能相似 | STS12NF30L和IRF8714PBF的区别 |