SZMMBZ15VALT3G

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SZMMBZ15VALT3G概述

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,

SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。

旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。

### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


得捷:
TVS DIODE 12VWM 21VC SOT23-3


欧时:
TVS 二极管 ON Semiconductor SZMMBZ15VALT3G 单向, 40W, 21V, 3针 SOT-23封装


立创商城:
SZMMBZ15VALT3G


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ZEN REG .225W 12V


艾睿:
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 12V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
SZMMBZ15VALT3G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-23


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


SZMMBZ15VALT3G中文资料参数规格
技术参数

工作电压 12 V

击穿电压 15 V

耗散功率 300 mW

钳位电压 21 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 15.75 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 14.25 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.40 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SZMMBZ15VALT3G
型号: SZMMBZ15VALT3G
描述:40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON Semiconductor SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号SZMMBZ15VALT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SZMMBZ15VALT3G

ON Semiconductor 安森美

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完全替代

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