SZMMBZ27VALT3G

SZMMBZ27VALT3G图片1
SZMMBZ27VALT3G图片2
SZMMBZ27VALT3G图片3
SZMMBZ27VALT3G图片4
SZMMBZ27VALT3G图片5
SZMMBZ27VALT3G图片6
SZMMBZ27VALT3G图片7
SZMMBZ27VALT3G图片8
SZMMBZ27VALT3G图片9
SZMMBZ27VALT3G图片10
SZMMBZ27VALT3G图片11
SZMMBZ27VALT3G概述

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,

SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。

旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。

### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


立创商城:
SZMMBZ27VALT3G


得捷:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3


欧时:
### 40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


艾睿:
ESD Suppressor Zener 16kV Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
SZMMBZ27VALT3G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-23


安富利:
ESD Suppressor Zener 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor Zener 16kV Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 22V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3 / 40V Clamp 1A Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-23-3 TO-236


SZMMBZ27VALT3G中文资料参数规格
技术参数

额定功率 40 W

击穿电压 25.65 V

耗散功率 0.3 W

钳位电压 40 V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 25.65 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.40 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SZMMBZ27VALT3G
型号: SZMMBZ27VALT3G
描述:40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON Semiconductor SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号SZMMBZ27VALT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SZMMBZ27VALT3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

SZMMBZ27VALT1G

安森美

类似代替

SZMMBZ27VALT3G和SZMMBZ27VALT1G的区别

MMBZ27VALT3G

安森美

类似代替

SZMMBZ27VALT3G和MMBZ27VALT3G的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司