SPD03N50C3BTMA1概述
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
SPD03N50C3BTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 3.20 A
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 3.20 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 DPAK-252
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买SPD03N50C3BTMA1
型号： SPD03N50C3BTMA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK TO-252封装