40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,
SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。
旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。
得捷:
TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3
欧时:
### 40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
立创商城:
SZMMBZ12VALT1G
e络盟:
TVS二极管, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
艾睿:
Install this tvs SZMMBZ12VALT1G ESD protection device from ON Semiconductor to prevent future damage to your electronic equipment from electrostatic discharge. This device&s;s maximum clamping voltage is 17 V. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This ESD diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual common anode|single configuration.
Allied Electronics:
SZMMBZ12VALT1G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-23
安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16kV Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
电路数 2
针脚数 3
耗散功率 0.3 W
钳位电压 17 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 12.6 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 11.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.40 mm
高度 1.01 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SZMMBZ12VALT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBZ12VALT1G 安森美 | 类似代替 | SZMMBZ12VALT1G和MMBZ12VALT1G的区别 |