SMBJ26A-E3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ26A-E3/5B概述

DIODE 600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2Pin, Transient Suppressor

42.1V Clamp 14.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 26VWM 42.1VC SMB

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 26V 600W 2-Pin SMB T/R

儒卓力:
**TRANSIL UNI 0,6KW 30V SMB **

SMBJ26A-E3/5B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 26 V

击穿电压 28.9 V

钳位电压 42.1 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 28.9 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SMBJ26A-E3/5B

型号： SMBJ26A-E3/5B

描述：DIODE 600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2Pin, Transient Suppressor

替代型号SMBJ26A-E3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ26A-E3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ26A-E3/52 威世	完全替代	SMBJ26A-E3/5B和SMBJ26A-E3/52的区别
SMBJ26AHE3/5B 威世	完全替代	SMBJ26A-E3/5B和SMBJ26AHE3/5B的区别
SMBJ26A-E3/51 威世	完全替代	SMBJ26A-E3/5B和SMBJ26A-E3/51的区别