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SE12DBHM3/I图片1

SE12DBHM3/I中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.15V @12A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SE12DBHM3/I

型号： SE12DBHM3/I

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：DIODE GEN PURP 100V 3.2A TO263AC