SMF8V0A-E3-08

SMF8V0A-E3-08图片1
SMF8V0A-E3-08图片2
SMF8V0A-E3-08图片3
SMF8V0A-E3-08图片4
SMF8V0A-E3-08概述

Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1000W 2Pin DO-219AB T/R

13.6V Clamp 14.7A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMF


得捷:
TVS DIODE 8V 13.6V DO219AB


贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 1000watt 8volt


艾睿:
ESD Suppressor TVS 8V 2-Pin SMF T/R


SMF8V0A-E3-08中文资料参数规格
技术参数

击穿电压 8.89 V

通道数 1

正向电压 2.5 V

耗散功率 200 W

钳位电压 13.6 V

脉冲峰值功率 200 W

最小反向击穿电压 8.89 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-219AB

外形尺寸

高度 0.98 mm

封装 DO-219AB

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMF8V0A-E3-08
型号: SMF8V0A-E3-08
描述:Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1000W 2Pin DO-219AB T/R
替代型号SMF8V0A-E3-08
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SMF8V0A-E3-08

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SMF8V0A-HE3-18

威世

完全替代

SMF8V0A-E3-08和SMF8V0A-HE3-18的区别

SMF8V0A-M3-18

威世

类似代替

SMF8V0A-E3-08和SMF8V0A-M3-18的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台