SI2305DS-T1-GE3

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SI2305DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds -8.00 V

连续漏极电流Ids -3.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI2305DS-T1-GE3
型号: SI2305DS-T1-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans MOSFET P-CH Si 8V 3.5A 3Pin SOT-23 T/R
替代型号SI2305DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductor 威世

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