SMBJ9.0A-E3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ9.0A-E3/5B概述

Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2Pin SMB T/R

15.4V Clamp 39A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 9V 15.4V DO214AA

贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 9.0V 5% Uni

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2-Pin SMB T/R

Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ9.0A-E3/5B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 9 V

击穿电压 10 V

电路数 1

耗散功率 600 W

钳位电压 15.4 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 10 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBJ9.0A-E3/5B

型号： SMBJ9.0A-E3/5B

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 9V 600W 2Pin SMB T/R

替代型号SMBJ9.0A-E3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ9.0A-E3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ9.0A-E3/52 威世	完全替代	SMBJ9.0A-E3/5B和SMBJ9.0A-E3/52的区别
SMBJ9.0AHE3/5B 威世	完全替代	SMBJ9.0A-E3/5B和SMBJ9.0AHE3/5B的区别
SMBJ9.0A-M3/52 威世	完全替代	SMBJ9.0A-E3/5B和SMBJ9.0A-M3/52的区别