SMBJ12A-E3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SMBJ12A-E3/5B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 12 V

击穿电压 14.7 V

钳位电压 19.9 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 13.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.57 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBJ12A-E3/5B

型号： SMBJ12A-E3/5B

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2Pin SMB T/R

替代型号SMBJ12A-E3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ12A-E3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ12AHE3/52 威世	完全替代	SMBJ12A-E3/5B和SMBJ12AHE3/52的区别
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