STD5N20T4

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STD5N20T4概述

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20T4, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STD5N20T4 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 45000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with mesh overlay technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK


STD5N20T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 5.00 A

漏源极电阻 0.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD5N20T4
型号: STD5N20T4
描述:N 通道 STripFET™,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD5N20T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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