硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
9.66V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ
得捷:
TVS DIODE 5VWM 9.66VC DO214AA
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 5V 600W 2-Pin SMB T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 5V 600W 2-Pin SMB T/R
Verical:
TVS Diode Single Uni-Dir 5V 600W 2-Pin SMB T/R
Win Source:
TVS DIODE 5VWM 9.66VC SMD
额定电压DC 5.00 V
额定功率 600 W
击穿电压 6.4 V
电路数 1
针脚数 2
钳位电压 9.66 V
测试电流 10 mA
最大反向击穿电压 7 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 6.03 V
击穿电压 6.03 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
长度 5.59 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMBJ5.0 Littelfuse 力特 | 当前型号 | 当前型号 |
SMBJ5.0A 力特 | 类似代替 | SMBJ5.0和SMBJ5.0A的区别 |
SMBJ5.0A-TR 意法半导体 | 功能相似 | SMBJ5.0和SMBJ5.0A-TR的区别 |