SMBJ12参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ12概述

硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

20.9V 夹子 30.2A Ipp TVS - 表面贴装型 DO-214AA（SMBJ）

得捷:
TVS DIODE 12VWM 20.9VC DO214AA

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R

Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 12V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ12中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定功率 600 W

击穿电压 13.3 V

电路数 1

钳位电压 19.9 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 12.6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SMBJ12引脚图与封装图

在线购买SMBJ12

型号： SMBJ12

描述：硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

替代型号SMBJ12