STD110N02RT4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD110N02RT4G概述

Power MOSFET 24V, 110A, 4.6mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. Power MOSFET 24V 110A 4.6mOhm Single N-Channe...

表面贴装型 N 通道 32A（Ta） 1.5W（Ta），110W（Tc） DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 24V 32A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 24V 32A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

STD110N02RT4G中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.5W Ta, 110W Tc

漏源极电压Vds 24 V

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 3440pF @20VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Ta, 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： STD110N02RT4G

描述：Power MOSFET 24V, 110A, 4.6mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. Power MOSFET 24V 110A 4.6mOhm Single N-Channe...