TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
113V Clamp 5.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ
得捷:
TVS DIODE 70V 113V DO214AA
艾睿:
Diode TVS Single Bi-Dir 70V 600W 2-Pin SMB T/R
儒卓力:
**TRANSIL BI 0,6KW 82V SMB **
击穿电压 77.8 V
电路数 1
通道数 1
耗散功率 600 W
钳位电压 113 V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 77.8 V
击穿电压 77.8 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
长度 4.57 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.24 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SMBJ70CA-E3/52 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SMBJ70CA-E3/5B 威世 | 完全替代 | SMBJ70CA-E3/52和SMBJ70CA-E3/5B的区别 |
SMBJ70CAHE3/52 威世 | 完全替代 | SMBJ70CA-E3/52和SMBJ70CAHE3/52的区别 |
SMBJ70CA-M3/52 威世 | 完全替代 | SMBJ70CA-E3/52和SMBJ70CA-M3/52的区别 |