SMBJ85D-M3/H参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SMBJ85D-M3/H图片2

SMBJ85D-M3/H中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 103 V

耗散功率 600 W

钳位电压 135 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 95.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214-2

外形尺寸

封装 DO-214-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SMBJ85D-M3/H

型号： SMBJ85D-M3/H

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 85V 600W 2Pin SMB T/R

替代型号SMBJ85D-M3/H

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Vishay Semiconductor 威世

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