SMBJ20D-M3/H参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ20D-M3/H概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 20V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol

32V Clamp 18.8A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 20V 32V DO214AA

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 20V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 20V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ20D-M3/H中文资料参数规格

技术参数

工作电压 20 V

击穿电压 24.2 V

耗散功率 1 W

钳位电压 32 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 22.5 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SMBJ20D-M3/H

型号： SMBJ20D-M3/H

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 20V 600W UniDir TransZorb 3.5% Tol

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