DPAK N-CH 800V 4A
表面贴装型 N 通道 4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 4A DPAK-2 CoolMOS C3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定功率 63 W
通道数 1
漏源极电阻 1.1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 63 W
阈值电压 2.1 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 570pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPD04N80C3BTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD04N80C3ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | SPD04N80C3BTMA1和SPD04N80C3ATMA1的区别 |