SMF26A-M3-08参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMF26A-M3-08概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-M3

42.1V Clamp 4.8A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMF DO-219AB

得捷:
TVS DIODE 26V 42.1V DO219AB

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-M3

艾睿:
ESD Suppressor TVS 26V 2-Pin SMF T/R

安富利:
ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-M3

SMF26A-M3-08中文资料参数规格

技术参数

工作电压 26 V

击穿电压 28.9 V

耗散功率 200 W

钳位电压 42.1 V

脉冲峰值功率 200 W

最小反向击穿电压 28.9 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-219AB-2

外形尺寸

封装 DO-219AB-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SMF26A-M3-08

型号： SMF26A-M3-08

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 ESD PROTECTION DIODE SMF DO219-M3

替代型号SMF26A-M3-08

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMF26A-M3-08 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMF26A-HE3-18 威世	完全替代	SMF26A-M3-08和SMF26A-HE3-18的区别
SMF26A-HE3-08 威世	类似代替	SMF26A-M3-08和SMF26A-HE3-08的区别
SMF26A-HM3-18 威世	类似代替	SMF26A-M3-08和SMF26A-HM3-18的区别