SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3图片1
SIR798DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0017 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIR798DP-T1-GE3
描述:VISHAY SIR798DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 60A, 30V, 0.0017Ω, 10V, 1V

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