STD85N3LH5

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STD85N3LH5概述

STMICROELECTRONICS  STD85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD85N3LH5, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK


STD85N3LH5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0046 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 10.8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD85N3LH5
型号: STD85N3LH5
描述:STMICROELECTRONICS  STD85N3LH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 4.6 mohm, 10 V, 2.5 V
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