硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
98.28V Clamp 6.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ
得捷:
TVS DIODE 58VWM 98.28VC DO214AA
贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 58Vr 600W 6.5A 10% UniDirectional
艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 58V 600W 2-Pin SMB T/R
Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 58V 600W 2-Pin SMB T/R
额定电压DC 58.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 64.4 V
电路数 1
耗散功率 600 W
钳位电压 93.6 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 61.02 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
长度 5.59 mm
宽度 3.94 mm
高度 2.44 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SMBJ58 Littelfuse 力特 | 当前型号 | 当前型号 |
SMBJ58A 力特 | 类似代替 | SMBJ58和SMBJ58A的区别 |
SMBJ58A-TR 意法半导体 | 功能相似 | SMBJ58和SMBJ58A-TR的区别 |