N沟道500V - 0.250ヘ - 12A - TO- 220 / FP - TO- 247 - I2 / D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.250ヘ - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
通孔 N 通道 12A（Tc） 100W（Tc） TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
贸泽:
MOSFET Ultra Fast Recovery Diode
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3 / N-Channel 500 V 12A Tc 100W Tc Through Hole TO-247-3
通道数 1
漏源极电阻 320 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 960pF @50VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STW13NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP13NM50N 意法半导体 | 功能相似 | STW13NM50N和STP13NM50N的区别 |