STD10NM50N

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STD10NM50N概述

STMICROELECTRONICS  STD10NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD10NM50N, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK


贸泽:
MOSFET N-CH 500 V Pwr 7A Mdmesh II


e络盟:
# STMICROELECTRONICS  STD10NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD10NM50N  MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
500V,0.53Ω,7A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK


STD10NM50N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.53 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 450pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD10NM50N
型号: STD10NM50N
描述:STMICROELECTRONICS  STD10NM50N  晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
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