SMCJ150A-E3/9AT参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMCJ150A-E3/9AT概述

Diode TVS Single Uni-Dir 150V 1.5kW 2Pin SMC T/R

243V Clamp 6.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AB SMCJ

得捷:
TVS DIODE 150V 243V DO214AB

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 150V 1.5KW 2-Pin SMC T/R

安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 150V 1.5KW 2-Pin SMC T/R

富昌:
1500 W 150 V 单向表面贴装瞬态电压抑制器二极管 - DO-214AB

SMCJ150A-E3/9AT中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 167 V

钳位电压 243 V

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 167 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AB

外形尺寸

封装 DO-214AB

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMCJ150A-E3/9AT

型号： SMCJ150A-E3/9AT

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 150V 1.5kW 2Pin SMC T/R

替代型号SMCJ150A-E3/9AT

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMCJ150A-E3/9AT Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMCJ150AHE3/57T 威世	完全替代	SMCJ150A-E3/9AT和SMCJ150AHE3/57T的区别
SMCJ150A-M3/57T 威世	完全替代	SMCJ150A-E3/9AT和SMCJ150A-M3/57T的区别
SMCJ160A-E3/57T 威世	类似代替	SMCJ150A-E3/9AT和SMCJ160A-E3/57T的区别