INFINEON SPD04N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
表面贴装型 N 通道 600 V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
立创商城:
N沟道 600V 4.5A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 4.5 A, 0.85 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON SPD04N60C3ATMA1 Power MOSFET, N Channel, 4.5 A, 650 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
Win Source:
LOW POWER_LEGACY
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 2.5 ns
输入电容Ciss 490pF @25VVds
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17