SPA04N80C3XKSA1

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SPA04N80C3XKSA1概述

INFINEON  SPA04N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-FP


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA04N80C3XKSA1, 4 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 800V 4A TO220FP-3 CoolMOS C3


e络盟:
INFINEON  SPA04N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  SPA04N80C3XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V


SPA04N80C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 4.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 570pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Lighting, Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPA04N80C3XKSA1
型号: SPA04N80C3XKSA1
描述:INFINEON  SPA04N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V

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