SPP11N60S5HKSA1概述
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
SPP11N60S5HKSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 11A
输入电容Ciss 1460pF @25VVds
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 8.64 mm
宽度 10.26 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SPP11N60S5HKSA1
型号： SPP11N60S5HKSA1
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N60S5HKSA1, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装