INFINEON SPB04N60C3ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO263-3
欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB04N60C3ATMA1, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab TO-263
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
额定电压DC 650 V
额定电流 4.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 2.5 ns
输入电容Ciss 490pF @25VVds
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2018/06/27