SMBJ8.0A-M3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ8.0A-M3/5B概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

13.6V Clamp 44.1A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 8V 13.6V DO214AA

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 8V 600W 2-Pin SMB T/R

安富利:
600W,8.0V 5%,UNIDIR,SMB TVS

SMBJ8.0A-M3/5B中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 8.89 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SMBJ8.0A-M3/5B

型号： SMBJ8.0A-M3/5B

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 8.0V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

替代型号SMBJ8.0A-M3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ8.0A-M3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ8.0AHE3/52 威世	完全替代	SMBJ8.0A-M3/5B和SMBJ8.0AHE3/52的区别
SMBJ8.0A-E3/5B 威世	完全替代	SMBJ8.0A-M3/5B和SMBJ8.0A-E3/5B的区别
SMBJ8.0A-E3/52 威世	类似代替	SMBJ8.0A-M3/5B和SMBJ8.0A-E3/52的区别