SPD08N50C3BTMA1概述
DPAK N-CH 500V 7.6A
表面贴装型 N 通道 560 V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO252-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
SPD08N50C3BTMA1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 560 V
额定电流 7.60 A
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 7.6A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 750pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 DPAK-252
外形尺寸
封装 DPAK-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
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