N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
620V,0.95Ω,5.5A,N沟道功率MOSFET
漏源极电阻 0.95 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 620 V
连续漏极电流Ids 5.5A
输入电容Ciss 875pF @50VVds
额定功率Max 90 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB6N62K3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB9NK70ZT4 意法半导体 | 类似代替 | STB6N62K3和STB9NK70ZT4的区别 |
STD6N62K3 意法半导体 | 功能相似 | STB6N62K3和STD6N62K3的区别 |
FQB6N70TM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STB6N62K3和FQB6N70TM的区别 |