SMBJ30AHE3/52参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ30AHE3/52概述

Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R

48.4V Clamp 12.4A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes 600W 30V 5% Unidir AEC-Q101 Qualified

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R

安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ30AHE3/52中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 33.3 V

耗散功率 600 W

钳位电压 48.4 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBJ30AHE3/52

型号： SMBJ30AHE3/52

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W 2Pin SMB T/R

替代型号SMBJ30AHE3/52

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ30AHE3/52 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ30A 威世	完全替代	SMBJ30AHE3/52和SMBJ30A的区别
SMBJ30A-E3/5B 威世	类似代替	SMBJ30AHE3/52和SMBJ30A-E3/5B的区别
SMBJ30CAHE3/5B 威世	类似代替	SMBJ30AHE3/52和SMBJ30CAHE3/5B的区别