SMBJ11AHE3/52参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ11AHE3/52概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 11V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

18.2V Clamp 33A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 11V 18.2V DO214AA

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 11V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 11V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R

安富利:
Diode TVS Single Uni-Dir 11V 600W 2-Pin SMB T/R

SMBJ11AHE3/52中文资料参数规格

技术参数

工作电压 11 V

击穿电压 12.2 V

耗散功率 1 W

钳位电压 18.2 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 12.2 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBJ11AHE3/52

型号： SMBJ11AHE3/52

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 11V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

替代型号SMBJ11AHE3/52

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ11AHE3/52 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ11A-M3/5B 威世	类似代替	SMBJ11AHE3/52和SMBJ11A-M3/5B的区别
SM6T10CA 意法半导体	功能相似	SMBJ11AHE3/52和SM6T10CA的区别
SMBJ8.5CA 伯恩斯	功能相似	SMBJ11AHE3/52和SMBJ8.5CA的区别