SQJ412EP-T1_GE3概述
N 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
* TrenchFET® Power MOSFET * AEC-Q101 Qualified * 100 % Rg and UIS Tested
欧时:
### N 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
贸泽:
MOSFET 40V 32A 83W AEC-Q101 Qualified
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 32A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 32A 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R
SQJ412EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.0035 Ω
耗散功率 83 W
阈值电压 1.5 V
漏源击穿电压 40 V
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 4950pF @20VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerPAKSO-8L-4
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 5.03 mm
高度 1.14 mm
封装 PowerPAKSO-8L-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SQJ412EP-T1_GE3
型号： SQJ412EP-T1_GE3
描述：N 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor