SMBJ30AHE3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ30AHE3/5B概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 30V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

48.4V Clamp 12.4A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 30V 48.4V DO214AA

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 30V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 30V 600W Automotive 2-Pin SMB T/R

SMBJ30AHE3/5B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 30 V

击穿电压 33.3 V

耗散功率 1 W

钳位电压 48.4 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBJ30AHE3/5B

型号： SMBJ30AHE3/5B

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 30V 1000W UniDir TransZorb 5% Tol

替代型号SMBJ30AHE3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBJ30AHE3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBJ30A-E3/5B 威世	完全替代	SMBJ30AHE3/5B和SMBJ30A-E3/5B的区别
SMBJ30CAHE3/52 威世	完全替代	SMBJ30AHE3/5B和SMBJ30CAHE3/52的区别
SMBJ30CAHE3/5B 威世	类似代替	SMBJ30AHE3/5B和SMBJ30CAHE3/5B的区别