STP20N20参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP20N20概述

N沟道200V - 0.10欧姆 - 18A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK低栅电荷的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET

N-Channel 200V 18A Tc 90W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

贸泽:
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

STP20N20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

漏源极电阻 125 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 940pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP20N20

型号： STP20N20

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道200V - 0.10欧姆 - 18A TO- 220 / TO- 220FP / DPAK低栅电荷的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.10 OHM - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET

立即咨询

替代型号STP20N20

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STP20N20 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STP20NF20 意法半导体	类似代替	STP20N20和STP20NF20的区别
SPA04N80C3 英飞凌	功能相似	STP20N20和SPA04N80C3的区别
SPA06N80C3 英飞凌	功能相似	STP20N20和SPA06N80C3的区别