SMBG8.0A-E3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SMBG8.0A-E3/5B图片1

SMBG8.0A-E3/5B图片2

SMBG8.0A-E3/5B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压 8.89 V

耗散功率 600 W

钳位电压 13.6 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 8.89 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-215AA

外形尺寸

封装 DO-215AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBG8.0A-E3/5B

型号： SMBG8.0A-E3/5B

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：TVS UNIDIR 600W 8V 5% SMB

替代型号SMBG8.0A-E3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMBG8.0A-E3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMBG8.0AHE3/52 威世	完全替代	SMBG8.0A-E3/5B和SMBG8.0AHE3/52的区别
SMBG8.0A-M3/52 威世	完全替代	SMBG8.0A-E3/5B和SMBG8.0A-M3/52的区别
SMBG8.0-E3/5B 威世	功能相似	SMBG8.0A-E3/5B和SMBG8.0-E3/5B的区别