SPP08N80C3XKSA1

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SPP08N80C3XKSA1概述

INFINEON  SPP08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP08N80C3XKSA1, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3


立创商城:
SPP08N80C3XKSA1


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  SPP08N80C3XKSA1  Power MOSFET, N Channel, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V


SPP08N80C3XKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 8.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.56 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 104 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Power Management, Communications & Networking, 照明, 通信与网络, Consumer Electronics, 电源管理, 消费电子产品

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: SPP08N80C3XKSA1
描述:INFINEON  SPP08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

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