SMB10J8.0AHE3/5B参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMB10J8.0AHE3/5B概述

Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1kW 2Pin SMB T/R

13.6V Clamp 73.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMB

得捷:
TVS DIODE 8V 13.6V DO214AA

艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1KW Automotive 2-Pin SMB T/R

SMB10J8.0AHE3/5B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 8 V

击穿电压 8.89 V

钳位电压 13.6 V

脉冲峰值功率 1000 W

最小反向击穿电压 8.89 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA

外形尺寸

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMB10J8.0AHE3/5B

型号： SMB10J8.0AHE3/5B

描述：Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1kW 2Pin SMB T/R

替代型号SMB10J8.0AHE3/5B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SMB10J8.0AHE3/5B Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SMB10J8.0A-E3/52 威世	完全替代	SMB10J8.0AHE3/5B和SMB10J8.0A-E3/52的区别
SMB10J8.0A-M3/52 威世	完全替代	SMB10J8.0AHE3/5B和SMB10J8.0A-M3/52的区别
SMB10J8.0HE3/5B 威世	类似代替	SMB10J8.0AHE3/5B和SMB10J8.0HE3/5B的区别